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CIGS薄膜太阳能电池

发布时间:2024/6/17 14:13:37 浏览次数:0

太阳能电池的工作原理及特性

目前的太阳能电池以薄膜太阳能电池为主,当太阳能照到半导体的PN结上,形成电子空穴对,在PN结电厂作用下,电子有P区流向N区域,空穴从N极流向P区域,分别形成在N区过剩的电子和P区过剩的空穴的积累,建立一P区为正N去为负的光生电动势(光生电压),接入负载后形成光生电流,这就是太阳能的工作原理。

铜铟镓硒薄膜太阳能电池是20世纪80年代后期开发出来的新型太阳能电池,典型的多层膜结构如下:金属删、减反射膜、窗口层、过度层、光吸收层、背电极和基板。

CIGS材料的电化学性质

材料的电化学性质(电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率)主要取决于材料的元素组分比,以及偏离化学计量比而引起的固有缺陷(如空位、填陷原子、替位原子),此外还和非本征掺杂和晶界有关。

  CIGS的研制

CIS薄膜的禁带宽度为1.04ev,当掺入适当的Ga以替代部分In成为CuInSe2和CuGaSe2的固溶晶体简称CIGS,薄膜的禁带宽度可在1.04-1.7范围内调整。而理想多晶体薄膜太阳能的吸收层理想的禁带宽度为1.5,可见调整Ga和In的比例,我们可以获得理想禁带宽的吸收层。