本发明的目的是提供一种能廉价地制造太阳能电池级的高纯度硅的方法，以及廉价地供给太阳能电池用硅。

（ａ）把粗制硅与硅酸钙在１５４４℃以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到熔渣中；

（ｂ）在惰性气体气氛中静置工序（ａ）所得的混合液，使下层的熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到１４１０℃～１５４４℃之间，使熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态；

（ｃ）在惰性气体气氛下，把冷却体２浸渍到工序（ｂ）所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体２并把结晶的高纯度硅块Ｓ从冷却体２拆下；

（ｄ）再熔融工序（ｃ）所得的高纯度硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除高纯度硅中的磷。