对于晶体硅太阳电池来说，只有波长小于1.1μm的光才能使晶硅材料产生电子-空穴对，而其余波段的太阳光不能被电池利用，直接转变为热量。另外，电子-空穴对的复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。

总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。(1)光学损失，包括材料的非吸收损失(即硅材料的光谱响应特性)、硅表面的光反射损失以及前栅线电极的遮挡损失。(2)电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子(电子-空穴对)的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易理解，而光生载流子复合损失是什么呢?光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心，此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，电池背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显。