用来制备SiNx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法(CVD法)、等离子增强化学气相沉积(PECVD法)、低压化学气相沉积法(LPCVD法)。在目前产业上常用的是PECVD法。

PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：

直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。

间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。