欢迎来到合肥金屋顶新能源有限公司官方网站!
用来制备SiNx膜的方法有很多种,包括:化学气相沉积法(CVD法)、等离子增强化学气相沉积(PECVD法)、低压化学气相沉积法(LPCVD法)。在目前产业上常用的是PECVD法。
PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型:
直接法:样品直接接触等离子体,样品或样品的支撑体就是电极的一部分。
间接法:或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外,等离子体不直接打到样品表面,样品或其支撑体也不是电极的一部分。