硼扩：从目前的硼扩掺杂技术来分，主要有：低压的管式扩散、旋涂硼源扩散、常压管式扩散、离子注入+退火

1、TOPCon 成本降低的降本潜力。

回复：TOPCon成本下降的潜力很大，随着电池制程表现的不断提高，非硅成本必然会降低；另外，银浆的耗量以及成本的下降空间也很大；投资额低导致整个设备的折旧成本也低；

另外，我司的硼扩、LPCVD等关键设备也已经实现了国产化，设备上也是致力于大产能低运营成本，有利于推动TOPCon技术的降本工作。

2、目前业内有哪几家在用此技术，是否是嫁接在现有产线上还是全新产线？效果如何？

回复：业内主要有中来、天合等，基本上都是全新线。另外，据了解，很多企业，新上PERC产线都都预留了TOPCon升级空间，目前的效率能够达到23.5-23.8%左右，良率也基本在93%-94%左右。

另外，据了解，很多企业，新上PERC产线都都预留了TOPCon升级空间，目前的效率能够达到23.3-23.5%左右，良率也基本在93%-94%左右。

3、除了N型硅片，TOPCon还需要何种新材料？供应前景如何？

回复：TOPCon技术，N 型和P型都可以做，基本不需要新的材料，其与PERC的材料没有明显差异，整体材料的供应没有问题。

4、不同沉积方式的差别（LPCVD PEALD APECVDMAIA）；

回复：主要还是LPCVD和PECVD的差异。从目前来看的话，LPCVD的成膜质量更好，而且其产能大，维护比较方便；

PECVD虽然沉积速度快，但是可能出现爆膜以及造成粉尘的产生。

5、集成原位掺杂与单独磷注入的差别

回复：原位掺杂因为磷烷抑制了非晶硅的成膜速率，会导致其均匀性变差。另外它要兼容均匀性和方阻，所以控制会比较难；

而用本征来做磷扩，兼容性会比较好，也容易控制。

6、PERC升级TOPCon工艺路线的设备成本；

回复：这个要看实际状况，相信大家都能理解，一般GW级别目前大概在5-6千万左右，仅供参考；

7、生产运行中SIO2的厚度如何检测？

回复：生产运行中，二氧化硅的厚度是很难检测的，其实我们也不建议在生产过程中做二氧化硅的检测，可以从其他工序的监控反应出来，比如从方阻就可以看出来。

8、LPCVD方式的优点、均匀性情况？

回复：LPCVD的优点：产能大，易于维护，是一个比较成熟的设备；而均匀性目前可以做到433这样水平。

9、TOPCon对浆料的要求？

回复：要求较高，从去年的整体情况看，浆料对于整体电性能提升作用很大，当然也意味着较大的降本空间。

10、绕镀的宽度对绕镀清洗的影响，绕镀清洗的难点有哪些？目前的绕镀清洗方式有哪些。

回复：绕镀的宽度对于绕镀的清洗难易有关，宽度越大，清洗越困难，比如会导致清洗不均匀、外观不良或者EL不良。

目前主要的绕镀去除方式是酸刻和碱刻。

11、正面氧化铝钝化之前是否还有必要增加热氧？

回复：个人认为不需要增加热氧，目前来看氧化铝的本身钝化的效果就比较好。

12、正面氧化铝是否可以用其他钝化膜代替

回复：正面氧化铝可以用其他的钝化膜来代替，但是目前氧化铝的本身钝化效果就比较好，另外其工艺也比较成熟，成本也比较低。

13、对于TOPCon而言，PECVD方式氧化铝和ALD方式氧化铝有什么差异

回复：TOPCon在绒面的钝化是在正面进行，在绒面上进行钝化，PECVD的生长速率快，可能会导致钝化效果略差于ALD。

14、TOPCon产线设备投资相对于PERC比较优势的临界点在哪里（转化率优势达到多少，设备投资额差距多少）。预计这个临界点出现在什么时候。

回复：个人认为，关键临界点就在眼前，因为目前PERC的效率基本已经到极限，而TOPCon在市场上已经有GW级别的量产，整体的运行状况也较好，效率可以做到23.3-23.5%，良率也基本超过90%，运营成本也在不断降低中。

15、N-TOPCon现在的实际良率和量产效率怎么样？现在国内规模大概多少呢？另外，贵公司针对P-TOPCon方面有和国内外企业做过研究测试吗？大体情况如何？

回复：N-TOPCon我司实际量产效率在23.5-23.8，国内的规模约4-5GW， P-TOPCon已经有一些研究机构已经做出来了，效率也比较高。P型TOPCon和N型TOPCon只是电池路线差异，我司的设备均可以使用。

16、目前新建1GW的TOPCon产线，大约多少亿。

回复：大概2.5亿左右吧。最终要看各家配置。

17、新的TOPCon产线是否兼容166和210尺寸的电池

回复：我司的设备是可以实现全尺寸兼容。

18、未来两三年N型硅片的主流尺寸和片厚会是怎样？

回复：目前只能说大尺寸肯定是未来的趋势。

19、PL技术在TOPCon中的应用；

回复：PL是在TOPCon的一个标配，对于效率异常的排查，对于效率的提升都是非常有帮助的。

20、如何在设备端和载具上解决绕镀？

回复：我司设备的绕镀基本控制在硅片的边缘1cm左右，我们还在不断努力的开发无绕镀的设备。

21、对于多晶硅绕镀清洗，酸碱法清洗谁更有优势，链式和槽式谁更有优势；

回复：目前酸碱都能去除，最终还是要看工艺的匹配以及综合性价比来选择。

22、N-TOPCon扩散工艺会使用到BBr3或BCl3气体，请问两者优缺点为何？

回复：BBr3使用比较多，尤其是光伏，以说其整体的设备市场占有率较高。

BCl3的运营成本包括BOM成本以及设备维护保养成本，其整体的运营成本还是优于BBr3。

23、TOPCon技术与现有组件技术能否有效兼容，比如叠片，半片，大硅片，双面等。

回复：TOPCon能够有效的兼容半片、叠片、大硅片以及双面组件；

24、PERC+可以叠加TOPCon技术进去的，另外，拉普拉斯的LP炉管寿命是多久？

回复：关于延长石英管寿命，目前有很多方法予以解决。

25、水平放片，下面那片不会有很重的舟齿印？因为重力压紧了，气体进不去。

回复：不会，舟印只跟石英舟的质量或者清洗饱和工艺有关系。水平的最佳优势就是气体在硅片表面的分布，而齿与齿之间也是有间距的。

26、低压状态下分子自由程大，如何避免水平放片下层流状态扩散不充分的情况？

回复：低压状态下分子自由程大有利于气体分布均匀，对于水平放片对于气流无阻挡所以压力需求不会要求很低，对于泵的要求也没有竖直及菱形插片高。

27、水平放片自动化设备配套情况？

回复：市面上的主流自动化厂家都能配置。

28、能否采用BBr3来代替BCl3，是否具备原位清洗功能？

回复：对于我们来说BCl3使用效果比BBR3效果好所以不会考虑替换，原位清洗功能可根据客户需求增加。

29、硼扩散方阻范围和方阻均匀性？

回复：100~120ohm/squ可以做到4%/4%/3%。

30、石英件是否有做特殊涂层？使用寿命如何？

回复：有做，目前使用效果良好。

31、请问如果保证TOPCon钝化的均匀性问题？这个均匀性直接以何种方式表现在电池的电性能参数上？开压和电流的收敛性如何保证？电池串的明暗片如果控制？

回复：钝化均匀性只要钝化工序的均匀性做好即可，主要体现电性参数开压和FF上；

开压和电流的收敛性只要制程管控好就能保证，电池明暗片可以参考PERC/HIT。